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H-3

β放射源( I )
半衰期:12.34年

β粒子能量:
βmax    18.59keV
β           5.69keV

主要技术参数:
不锈钢,铜或钼背板,表面镀一层吸收了H-3的钛。活性部分被镀覆一层二氧化硅或铝膜。
背板形状多种多样,可以定制。
客户提供衬托也可以。

1  面源
 
活性层面活度最高0.2Ci/cm2,离子流在2π离子腔中测量值最高1.2×10-8A/cm2.

面源1


编码
额定活度* 最小离子流,nA 外部尺寸
L×W,mm
mCi MBq
BH3. 10 370 0.9 14x10
20 740 1.8 14x10
90 3330 8 30x2
500 18500 36 30x10

*公差:±10%
推荐使用寿命:5年

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