β源(M,R)
主要技术参数：源组成部分包括一个盖子，一个主体和一个嵌入源装置的上釉的插件， Pm-147活性材料沉积在插件的工作面上并用二氧化钛或镀铬保护层固定起来。主体和盖子通过点焊连接。该源设计使用寿命为从出厂之日起5年。

应用：同位素仪器，离子生成器，静电消除器

源编码		源尺寸（活性面），mm				表面β发射率，S-1	0.5m（不超过）处X射线和γ辐射剂量率， A/kg	最大活度，Bq（Ci）
		直径，D（d）	长，L（l）	宽，W（w）	高，H
1	BIP-10	20(10)			3	(1.25-20)·107	6.2·10-11	1.2·109(3.24·10-2)
	BIP-20	30(20)				(1.25-50)·107	27·10-11	2.8·109(7.6·10-2)
	BIP-30	40(30)				(1.25- 63)·107	54·10-11	5.9·109(15.9·10-2)
	BIP-40	50(40)				(1.25-80)·107	77·10-11	1.1·109(2.97·10-1)
	BIP-50	60(50)				(1.25-80)·107	77·10-11	1.1·109(2.97·10-1)
2	BIP-R1		60(56)	10(7)	3	7.6·107	1.6·10-11	1.1·109(2.97·10-2)
	BIP-R2					3.1·107	1.2·10-10	3.0·109(8.1·10-2)
3	BIP-К1		63( see fig.3)	29(see fig.3)		3.6·107	1.6·10-11	4.5·109(1.22·10-2)
	BIP-К2					1.7·108	3.9·10-11	1.9·109(5.13·10-2)
4	BIP-7	12.7(4)			19	1.9·107	1.6·10-11	7.4·109(2.00·10-2)
5	BIP-М	6(3)			7	7·107	1.6·10-11	3.7·109(1.00·10-2)
6	BIP 50х150		160(150)	60(50)	5	(6.0-12)·108	20·10-10	5.2·1010 (1.41)

注意：源的质控符合ISO99/C/24141（ISO2919）。源的泄漏测试是根据ISO9978来做的，通过干擦非活性面，符合限值185Bq（约5nCi）。

Pm-147
β源(M,R)
主要技术参数：源设计成上釉的钢背板，Pm-147活性材料沉淀在该背板的工作面上，并由一层二氧化钛保护层固定。该源设计使用寿命为从出厂之日起10年。

应用：同位素仪器，离子生成器，静电消除器

注意：源的质控符合ISO99/C/34141（ISO2919）。源的泄漏测试是根据ISO9978来做的，通过干擦非活性面，符合限值185Bq（约5nCi）。

1.  BIP-N-1，BIP-N-2源
 

源编码	源尺寸（活性面），mm			表面β发射率(不少于)，S-1	距源表面0.5m（不超过）处X射线和γ辐射剂量率，A/kg	最大Pm-147活度，Bq（Ci）
	长，L（l）	宽，W（w）	高，H
BIP-N1	70.95 (60)	35.8 (25)	2.8	4.1·108	1.3·10-11	4.0·109(10.8·10-2)
BIP-N2				1.2·109	6.5·10-11	2.0·1010(0.54)